Transistor MOSFET IRF520N Canal N 100V 9.2A TO-220

0,60

Transistor MOSFET de potencia IRF520N de Canal N. Soporta hasta 100V y 9.2A con una baja resistencia RDS(on) de 0.27 Ω. Encapsulado TO-220, ideal para aplicaciones de conmutación rápida, control PWM de motores y gestión de iluminación LED de alta potencia.

SKU: 266051402829 Categoría:

Descripción

El IRF520N es un transistor de potencia de tecnología MOSFET de Canal N, diseñado para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación rápida y control de carga. Este componente es ampliamente utilizado en el desarrollo de electrónica de potencia debido a su capacidad para manejar tensiones de hasta 100V y una corriente continua de 9.2A, lo que lo hace ideal para proyectos con microcontroladores como Arduino o ESP32.

Una de sus principales ventajas es su baja resistencia de activación (RDS(on) de 0.27 Ω), lo que minimiza las pérdidas de energía por calor y mejora la eficiencia del circuito. Es la opción preferida para el control de velocidad de motores DC mediante PWM, la gestión de tiras LED de alta potencia, actuadores y el diseño de fuentes de alimentación conmutadas.

Presentado en un encapsulado estándar TO-220AB, el IRF520N facilita tanto el montaje en placas de prototipado como la integración en PCB finales. Su diseño permite la instalación sencilla de disipadores de calor, necesaria cuando se trabaja cerca de su límite de disipación de 60W, garantizando una operación estable incluso en rangos de temperatura industriales.

Especificaciones Técnicas
Referencia IRF520N
Polaridad Canal N
Tensión Drenaje-Fuente (Vdss) 100 V
Corriente de Drenaje (Id) 9.2 A (a 25°C)
Resistencia RDS(on) máx. 0.27 Ω
Disipación de Potencia máx. 60 W
Encapsulado TO-220AB

Contenido del paquete

  • 1x Transistor MOSFET IRF520N Canal N 100V 9.2A TO-220

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