Pack 2x Transistor MOSFET IRF520N Canal N 100V 9.2A TO-220

1,70€

Pack de 2 transistores MOSFET de potencia IRF520N, canal N. Soporta hasta 100 V y 9.2 A. Ideal para control de motores, PWM y fuentes conmutadas. Encapsulado TO-220.

Descripción

Este pack incluye dos unidades del transistor de potencia MOSFET IRF520N, un componente esencial para proyectos de electrónica que requieren conmutación de altas corrientes y voltajes.

Gracias a su baja resistencia de activación (RDS(on)), es una opción eficiente para aplicaciones como el control de velocidad de motores DC mediante PWM, la gestión de tiras LED de alta potencia, o la construcción de fuentes de alimentación conmutadas y reguladores de voltaje.

Su encapsulado estándar TO-220 facilita el montaje en placas de prototipos (protoboards) y PCB, así como la instalación de un disipador de calor para manejar potencias elevadas de forma segura.

Características
Referencia	IRF520N
Tipo	MOSFET
Canal	Canal N
Tensión Drain-Source (Vdss)	100 V
Tensión Gate-Source (Vgs)	±20 V
Corriente de Drain Continua (Id)	9.2 A
Corriente de Drain Pulsada (Idm)	37 A
Resistencia RDS(on) (máx.)	0.27 Ω
Disipación de Potencia (Pd)	60 W
Temperatura de Operación (Tj)	-55 °C a 175 °C
Encapsulado	TO-220AB